IGBT, FP50R12W2T7BPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, 35-Pines 6
- Código RS:
- 273-2925
- Nº ref. fabric.:
- FP50R12W2T7BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 273-2925
- Nº ref. fabric.:
- FP50R12W2T7BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 mW | |
| Número de transistores | 6 | |
| Configuración | Emisor común | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 35 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 20 mW | ||
Número de transistores 6 | ||
Configuración Emisor común | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 35 | ||
El módulo IGBT de rectificador de entrada trifásico PIM (módulos integrados de potencia) de Infineon con TRENCHSTOP IGBT7, 7 diodos controlados por emisor y NTC.
Funcionamiento con sobrecarga hasta 175 °C
Alta densidad de potencia
Diseño compacto
Alta densidad de potencia
Diseño compacto