STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGSB200M65DF2AG Simple, NPN-Canal, 216 A, 650 V, ECOPACK, 9 pines 2 Superficie

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273-5094P
Nº ref. fabric.:
STGSB200M65DF2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

216A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

714W

Número de transistores

2

Configuración

Simple

Encapsulado

ECOPACK

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

NPN

Número de pines

9

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.05V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.5mm

Longitud

4mm

Certificaciones y estándares

UL1557

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
La serie M IGBT de baja pérdida de parada de campo de puerta de trinchera de grado de automoción de STMicroelectronics en un encapsulado ACEPACK SMIT. Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera propietaria avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.

Distribución de parámetros estrecha

Baja resistencia térmica

Dados en sustrato de cobre de unión directa (DBC)

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