IGBT, STGSB200M65DF2AG, NPN-Canal, 200 A, 650 V, ECOPACK, 9-Pines 2
- Código RS:
- 273-5094P
- Nº ref. fabric.:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 49 | 17,11 € |
| 50 - 99 | 16,24 € |
| 100 - 149 | 15,43 € |
| 150 + | 14,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-5094P
- Nº ref. fabric.:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 200 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 714 W | |
| Tipo de Encapsulado | ECOPACK | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | NPN | |
| Conteo de Pines | 9 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 200 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de Potencia Máxima 714 W | ||
Tipo de Encapsulado ECOPACK | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal NPN | ||
Conteo de Pines 9 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie M IGBT de baja pérdida de parada de campo de puerta de trinchera de grado de automoción de STMicroelectronics en un encapsulado ACEPACK SMIT. Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera propietaria avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Distribución de parámetros estrecha
Baja resistencia térmica
Dados en sustrato de cobre de unión directa (DBC)
Baja resistencia térmica
Dados en sustrato de cobre de unión directa (DBC)