IGBT, STGD4H60DF, 4 A, 600 V, DPAK, 3-Pines 1
- Código RS:
- 287-7045P
- Nº ref. fabric.:
- STGD4H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 30 - 58 | 0,43 € |
| 60 - 118 | 0,385 € |
| 120 - 238 | 0,345 € |
| 240 + | 0,305 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 287-7045P
- Nº ref. fabric.:
- STGD4H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 4 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 75 W | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK | |
| Configuración | Colector único, emisor simple, puerta simple | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 4 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 75 W | ||
Tipo de Encapsulado DPAK | ||
Configuración Colector único, emisor simple, puerta simple | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El tope de campo de compuerta de zanja de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una avanzada estructura de tope de campo de compuerta de zanja patentada. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Baja resistencia térmica
Capacidad de cortocircuito
Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida
Capacidad de cortocircuito
Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida