Módulo IGBT, SKM100GB125DN, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie
- Código RS:
- 468-2410
- Nº ref. fabric.:
- SKM100GB125DN
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 218,26 € |
| 2 - 4 | 207,33 € |
| 5 - 9 | 197,09 € |
| 10 - 19 | 187,05 € |
| 20 + | 177,66 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 468-2410
- Nº ref. fabric.:
- SKM100GB125DN
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 100 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Configuración | Medio puente doble | |
| Tipo de Encapsulado | SEMITRANS2 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 7 | |
| Configuración de transistor | Serie | |
| Dimensiones | 94.5 x 34.5 x 30.5mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 100 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Configuración Medio puente doble | ||
Tipo de Encapsulado SEMITRANS2 | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 7 | ||
Configuración de transistor Serie | ||
Dimensiones 94.5 x 34.5 x 30.5mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Módulos IGBT dobles
Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.
Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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