Módulo IGBT, SKM400GAL12E4 , N-Canal, 618 A, 1200 V, SEMITRANS3, 5-Pines Simple
- Código RS:
- 687-4989
- Nº ref. fabric.:
- SKM400GAL12E4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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Unidad(es) | Por unidad |
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| 1 - 9 | 268,40 € |
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- Código RS:
- 687-4989
- Nº ref. fabric.:
- SKM400GAL12E4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 618 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Tipo de Encapsulado | SEMITRANS3 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 5 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 106.4 x 61.4 x 30.5mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 618 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Tipo de Encapsulado SEMITRANS3 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 5 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 106.4 x 61.4 x 30.5mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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