Semikron Danfoss Módulo IGBT4, SKM400GAL12E4, Tipo N-Canal, 40 A, 1200 V, SEMITRANS3, 5 pines Superficie, 12 kHz
- Código RS:
- 687-4989
- Nº ref. fabric.:
- SKM400GAL12E4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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Unidad(es) | Por unidad |
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- Código RS:
- 687-4989
- Nº ref. fabric.:
- SKM400GAL12E4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT4 | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Encapsulado | SEMITRANS3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 5 | |
| Velocidad de conmutación | 12kHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | SEMITRANS 3 GAL | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747-1, UL E63532 | |
| Altura | 30.5mm | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT4 | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Encapsulado SEMITRANS3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 5 | ||
Velocidad de conmutación 12kHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie SEMITRANS 3 GAL | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747-1, UL E63532 | ||
Altura 30.5mm | ||
Longitud 106.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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