Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 300 A, 1200 V, Módulo 62MM, 5 pines Abrazadera, 800 ns

Código RS:: 752-8170
Nº ref. fabric.:: BSM200GA120DN2HOSA1
Fabricante:: Infineon

Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 300 A, 1200 V, Módulo 62MM, 5 pines Abrazadera, 800 ns

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Código RS:: 752-8170
Nº ref. fabric.:: BSM200GA120DN2HOSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Módulo IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	300A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	1200V
	Disipación de potencia máxima Pd	1550W
	Encapsulado	Módulo 62MM
	Tipo de montaje	Abrazadera
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	5
	Velocidad de conmutación	800ns
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	3.7V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	106.4mm
	Anchura	61.4 mm
	Certificaciones y estándares	DIN humidity Category F, IEC climatic Category 40 / 125 / 56
	Altura	36.5mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Módulo IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 300A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V
	Disipación de potencia máxima Pd 1550W
	Encapsulado Módulo 62MM
	Tipo de montaje Abrazadera
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 5
	Velocidad de conmutación 800ns
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 3.7V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 106.4mm
	Anchura 61.4 mm
	Certificaciones y estándares DIN humidity Category F, IEC climatic Category 40 / 125 / 56
	Altura 36.5mm
	Estándar de automoción No

Módulo IGBT, Infineon

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.

Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP ^TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACK^TM2/EconoPACK^TM3/EconoPACK^TM4

IGBT discretos y módulos, Infineon

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 300 A, 1200 V, Módulo 62MM, 5 pines Abrazadera, 800 ns

Módulo IGBT, Infineon

IGBT discretos y módulos, Infineon

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