Nº ref. fabric.

IXYS IGBT, IXGH48N60B3, Tipo N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 40 kHz

Código RS:: 791-7416
Nº ref. fabric.:: IXGH48N60B3
Fabricante:: IXYS

IXYS IGBT, IXGH48N60B3, Tipo N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 40 kHz

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10 - 28	7,035 €	14,07 €
30 - 58	6,275 €	12,55 €
60 - 118	5,755 €	11,51 €
120 +	5,225 €	10,45 €

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Código RS:: 791-7416
Nº ref. fabric.:: IXGH48N60B3
Fabricante:: IXYS

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	IXYS
	Corriente continua máxima de colector Ic	48A
	Tipo de producto	IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	600V
	Disipación de potencia máxima Pd	300W
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	3
	Velocidad de conmutación	40kHz
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.8V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	20.32mm
	Anchura	16.26 mm
	Serie	GenX3TM 600V IGBT
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca IXYS
	Corriente continua máxima de colector Ic 48A
	Tipo de producto IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V
	Disipación de potencia máxima Pd 300W
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 3
	Velocidad de conmutación 40kHz
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.8V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 20.32mm
	Anchura 16.26 mm
	Serie GenX3TM 600V IGBT
	Estándar de automoción No

Discretos IGBT, IXYS

IGBT discretos y módulos, IXYS

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

IXYS IGBT, IXGH48N60B3, Tipo N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 40 kHz

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Discretos IGBT, IXYS

IGBT discretos y módulos, IXYS

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