STMicroelectronics IGBT, STGW20V60F, Tipo N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

15,24 €

(exc. IVA)

18,44 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 5 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de febrero de 2026
  • Disponible(s) 30 unidad(es) más para enviar a partir del 06 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 203,048 €15,24 €
25 - 452,896 €14,48 €
50 - 1202,604 €13,02 €
125 - 2452,344 €11,72 €
250 +2,23 €11,15 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
791-7621
Nº ref. fabric.:
STGW20V60F
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.2V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

V

Certificaciones y estándares

Lead free package

Altura

20.15mm

Anchura

5.15 mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados