Nº ref. fabric.

STMicroelectronics IGBT, STGW60V60F, Tipo N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

Código RS:: 791-7655P
Nº ref. fabric.:: STGW60V60F
Fabricante:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT, STGW60V60F, Tipo N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

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Código RS:: 791-7655P
Nº ref. fabric.:: STGW60V60F
Fabricante:: STMicroelectronics

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Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	80A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	600V
	Disipación de potencia máxima Pd	375W
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	3
	Velocidad de conmutación	1MHZ
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	2.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	20.15mm
	Serie	V
	Certificaciones y estándares	ECOPACK
	Longitud	14.8mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 80A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V
	Disipación de potencia máxima Pd 375W
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 3
	Velocidad de conmutación 1MHZ
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 20.15mm
	Serie V
	Certificaciones y estándares ECOPACK
	Longitud 14.8mm
	Estándar de automoción No

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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