STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 6 A, 1200 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 795-9094P
- Nº ref. fabric.:
- STGF3NC120HD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 25 unidades (suministrado en tubo)*
51,00 €
(exc. IVA)
61,75 €
(inc.IVA)
Añade 40 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 1350 unidad(es) más para enviar a partir del 24 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,04 € |
| 50 - 120 | 1,838 € |
| 125 - 245 | 1,654 € |
| 250 + | 1,572 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 795-9094P
- Nº ref. fabric.:
- STGF3NC120HD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 6A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.8V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 6A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.8V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.