IGBT, IXDN55N120D1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 1MHZ Simple

Ver todo IGBT
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Código RS:
804-7616
Nº ref. fabric.:
IXDN55N120D1
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

100 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

450 W

Tipo de Encapsulado

SOT-227B

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

1MHZ

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

38.2 x 25.07 x 9.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Discretos IGBT, IXYS



IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados