IXYS Un solo IGBT, Tipo N-Canal, 100 A, 1200 V, SOT-227B, 4 pines Orificio pasante, 70 ns

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Código RS:
804-7625
Número de artículo Distrelec:
302-53-267
Nº ref. fabric.:
IXA70I1200NA
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Corriente continua máxima de colector Ic

100A

Tipo de producto

Un solo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

350W

Encapsulado

SOT-227B

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

4

Velocidad de conmutación

70ns

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.8V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747

Serie

Planar

Estándar de automoción

No

IGBT discretos, serie XPT, IXYS


La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.

Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)

Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura

Capacidad de cortocircuito de 10 usec

Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva

Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales

Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional

IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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