IXYS IGBT de alta velocidad, IXYH30N120C3D1, Tipo N-Canal, 66 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 50 kHz
- Código RS:
- 808-0271
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-444
- Nº ref. fabric.:
- IXYH30N120C3D1
- Fabricante:
- IXYS
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
8,29 €
(exc. IVA)
10,03 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 151 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,29 € |
| 10 - 19 | 7,45 € |
| 20 - 49 | 7,09 € |
| 50 - 249 | 6,23 € |
| 250 + | 5,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 808-0271
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-444
- Nº ref. fabric.:
- IXYH30N120C3D1
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT de alta velocidad | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 66A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 416W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 50kHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 3.3V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | International Standard Package | |
| Serie | GenX3TM | |
| Longitud | 20.32mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 400mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT de alta velocidad | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 66A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 416W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 50kHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 3.3V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares International Standard Package | ||
Serie GenX3TM | ||
Longitud 20.32mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 400mJ | ||
IGBT discretos, serie XPT, IXYS
La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.
Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- IXYS IGBT de alta velocidad 66 A TO-247 50 kHz
- IXYS IGBT de alta velocidad 40 A TO-247 50 kHz
- IXYS IGBT de alta velocidad 30 A TO-247 50 kHz
- IXYS IGBT de alta velocidad 50 A TO-247 50 kHz
- IXYS IGBT de alta velocidad 82 A TO-247 50 kHz
- IXYS IGBT de alta velocidad Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Orificio pasante, 50 kHz
- IXYS IGBT de alta velocidad Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Orificio pasante, 50 kHz
- IXYS IGBT de alta velocidad Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Orificio pasante, 50 kHz