IXYS IGBT de alta velocidad, IXYH30N120C3, Tipo N-Canal, 30 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 50 kHz

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
808-0278
Número de artículo Distrelec:
302-53-443
Nº ref. fabric.:
IXYH30N120C3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Corriente continua máxima de colector Ic

30A

Tipo de producto

IGBT de alta velocidad

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

50kHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

3.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

1200V XPT GenX3

Longitud

20.32mm

Certificaciones y estándares

International Standard Packages

Anchura

16.26 mm

Estándar de automoción

No

IGBT discretos, serie XPT, IXYS


La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.

Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)

Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura

Capacidad de cortocircuito de 10 usec

Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva

Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales

Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional

IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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