IGBT, FGH30S130P, N-Canal, 60 A, 1300 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 864-8849
- Nº ref. fabric.:
- FGH30S130P
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 864-8849
- Nº ref. fabric.:
- FGH30S130P
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1300 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 60 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1300 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±25V | ||
Disipación de Potencia Máxima 500 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
On Semiconductor FGH30S130P es un IGBT de 1300V y 30A con tecnologías de zanja de corto y de parada de campo. Las aplicaciones de conmutación suave son ideales para el FGH30S130P, con conducción eficiente y características de alto rendimiento de conmutación. El FGH30S130P IGBT puede funcionar en una configuración paralela y ofrece grandes capacidades de avalancha.
El FGH30S130P IGBT está diseñado para su uso en calefacción por inducción, hornos de microondas y otros electrodomésticos.
El FGH30S130P IGBT está diseñado para su uso en calefacción por inducción, hornos de microondas y otros electrodomésticos.
• Paquete TO-247
• Cambio de alta velocidad
• Conducción superior
• Tensión de saturación baja
• Alta impedancia de entrada
• Cambio de alta velocidad
• Conducción superior
• Tensión de saturación baja
• Alta impedancia de entrada
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.