- Código RS:
- 864-8849
- Nº ref. fabric.:
- FGH30S130P
- Fabricante:
- onsemi
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 864-8849
- Nº ref. fabric.:
- FGH30S130P
- Fabricante:
- onsemi
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
On Semiconductor FGH30S130P es un IGBT de 1300V y 30A con tecnologías de zanja de corto y de parada de campo. Las aplicaciones de conmutación suave son ideales para el FGH30S130P, con conducción eficiente y características de alto rendimiento de conmutación. El FGH30S130P IGBT puede funcionar en una configuración paralela y ofrece grandes capacidades de avalancha.
El FGH30S130P IGBT está diseñado para su uso en calefacción por inducción, hornos de microondas y otros electrodomésticos.
El FGH30S130P IGBT está diseñado para su uso en calefacción por inducción, hornos de microondas y otros electrodomésticos.
Paquete TO-247
Cambio de alta velocidad
Conducción superior
Tensión de saturación baja
Alta impedancia de entrada
Cambio de alta velocidad
Conducción superior
Tensión de saturación baja
Alta impedancia de entrada
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 1300 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
Disipación de Potencia Máxima | 500 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 864-8849
- Nº ref. fabric.:
- FGH30S130P
- Fabricante:
- onsemi
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
On Semiconductor FGH30S130P es un IGBT de 1300V y 30A con tecnologías de zanja de corto y de parada de campo. Las aplicaciones de conmutación suave son ideales para el FGH30S130P, con conducción eficiente y características de alto rendimiento de conmutación. El FGH30S130P IGBT puede funcionar en una configuración paralela y ofrece grandes capacidades de avalancha.
El FGH30S130P IGBT está diseñado para su uso en calefacción por inducción, hornos de microondas y otros electrodomésticos.
El FGH30S130P IGBT está diseñado para su uso en calefacción por inducción, hornos de microondas y otros electrodomésticos.
Paquete TO-247
Cambio de alta velocidad
Conducción superior
Tensión de saturación baja
Alta impedancia de entrada
Cambio de alta velocidad
Conducción superior
Tensión de saturación baja
Alta impedancia de entrada
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 1300 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
Disipación de Potencia Máxima | 500 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |