IGBT, FGH30S130P, N-Canal, 60 A, 1300 V, TO-247, 3-Pines Simple

On Semiconductor FGH30S130P es un IGBT de 1300V y 30A con tecnologías de zanja de corto y de parada de campo. Las aplicaciones de conmutación suave son ideales para el FGH30S130P, con conducción eficiente y características de alto rendimiento de conmutación. El FGH30S130P IGBT puede funcionar en una configuración paralela y ofrece grandes capacidades de avalancha.
El FGH30S130P IGBT está diseñado para su uso en calefacción por inducción, hornos de microondas y otros electrodomésticos.

• Paquete TO-247
• Cambio de alta velocidad
• Conducción superior
• Tensión de saturación baja
• Alta impedancia de entrada

Versiones disponibles:
864-8849 - paquete de 2
166-3300 - tubo de 30

IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.