STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 5 A, 1200 V, TO-252, 3 pines Superficie, 690 ns
- Código RS:
- 877-2879P
- Nº ref. fabric.:
- STGD5NB120SZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 25 - 45 | 1,478 € |
| 50 - 120 | 1,332 € |
| 125 - 245 | 1,198 € |
| 250 + | 1,136 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 877-2879P
- Nº ref. fabric.:
- STGD5NB120SZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 5A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 690ns | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.4 mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Serie | H | |
| Altura | 2.2mm | |
| Energía nominal | 12.68mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 5A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 690ns | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.4 mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Serie H | ||
Altura 2.2mm | ||
Energía nominal 12.68mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.