Semikron Danfoss Módulo IGBT, SK 150 MLI 066 T, Tipo N-Canal, 150 A, 1200 V, SEMITOP4, 70 pines Superficie
- Código RS:
- 905-6166
- Nº ref. fabric.:
- SK 150 MLI 066 T
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- 905-6166
- Nº ref. fabric.:
- SK 150 MLI 066 T
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- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 150A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Encapsulado | SEMITOP4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 70 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.05V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.08mm | |
| Serie | MLI-T | |
| Longitud | 55mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747-1, UL | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 150A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Encapsulado SEMITOP4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 70 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.08mm | ||
Serie MLI-T | ||
Longitud 55mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747-1, UL | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IT
Módulos IGBT cuádruples
La configuración de serie de estos módulos IGBT cuádruples de Semikron los convierte en la solución perfecta para aplicaciones que requieren un alto rendimiento con topología de 3 niveles. Estos módulos compactos para montaje en PCB SEMITOP 3 cuentan con fijación de un solo orificio con una excelente transferencia de calor y utilizan tecnología Trench IGBT. Las aplicaciones típicas incluyen inversores dc-ac de 3 niveles y fuentes de alimentación SAI.
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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