JFET, PMBFJ177,215, P-Canal, 30 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 103-8162
- Nº ref. fabric.:
- PMBFJ177,215
- Fabricante:
- NXP
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 103-8162
- Nº ref. fabric.:
- PMBFJ177,215
- Fabricante:
- NXP
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | NXP | |
| Tipo de Canal | P | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 1.5 to 20mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | +30 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | 30V | |
| Configuración | Único | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 300 Ω | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Dimensiones | 3 x 1.4 x 1mm | |
| Ancho | 1.4mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65 °C | |
| Longitud | 3mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 1mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca NXP | ||
Tipo de Canal P | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 1.5 to 20mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente +30 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador 30V | ||
Configuración Único | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 300 Ω | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 (TO-236AB) | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Dimensiones 3 x 1.4 x 1mm | ||
Ancho 1.4mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65 °C | ||
Longitud 3mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 1mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
JFET de canal P, NXP
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Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)