JFET, J107, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 166-2919
- Nº ref. fabric.:
- J107
- Fabricante:
- ON Semiconductor
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 166-2919
- Nº ref. fabric.:
- J107
- Fabricante:
- ON Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ON Semiconductor | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 100mA | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | 25V | |
| Configuración | Único | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8 Ω | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Capacidad Drenador-Fuente | 160pF | |
| Capacidad Fuente-Puerta | 160pF | |
| Dimensiones | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 5.33mm | |
| Ancho | 4.19mm | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ON Semiconductor | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 100mA | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador 25V | ||
Configuración Único | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 8 Ω | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Encapsulado TO-92 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Capacidad Drenador-Fuente 160pF | ||
Capacidad Fuente-Puerta 160pF | ||
Dimensiones 5.2 x 4.19 x 5.33mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 5.33mm | ||
Ancho 4.19mm | ||
Longitud 5.2mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- MY
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)