JFET, MMBF4391LT1G, N-Canal, 30 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

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Código RS:
625-5723
Nº ref. fabric.:
MMBF4391LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

50 to 150mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+30 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

30V

Configuración de transistor

Simple

Configuración

Único

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 Ω

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Conteo de Pines

3

Dimensiones

2.9 x 1.3 x 0.94mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

2.9mm

Altura

0.94mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Ancho

1.3mm

JFET de canal N, ON Semiconductor



Transistores JFET


Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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