JFET, MMBFJ310LT1G, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23, 3-Pines

Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Certificado de conformidad RoHS
Datos del Producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

Transistores JFET

Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

Especificaciones
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 24 → 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente +25 V
Configuración Único
Configuración de transistor Simple
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado SOT-23
Conteo de Pines 3
Dimensiones 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Ancho 1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Altura 0.94mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 2.9mm
310 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
0,452
(exc. IVA)
0,547
(inc.IVA)
unidades
Por unidad
Por Pack*
5 - 45
0,452 €
2,26 €
50 - 95
0,236 €
1,18 €
100 +
0,156 €
0,78 €
*precio indicativo
Opciones de empaquetado: