JFET, MMBFJ310LT1G, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No aplica
Datos del Producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

Transistores JFET

Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

Especificaciones
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 24 → 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente +25 V
Configuración Único
Configuración de transistor Simple
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado SOT-23
Conteo de Pines 3
Dimensiones 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Longitud 2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Ancho 1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Altura 0.94mm
175 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
0,366
(exc. IVA)
0,443
(inc.IVA)
unidades
Por unidad
Por Pack*
5 - 120
0,366 €
1,83 €
125 +
0,348 €
1,74 €
*precio indicativo
Opciones de empaquetado: