JFET, 2SK209-Y(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 760-3126
- Nº ref. fabric.:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 760-3126
- Nº ref. fabric.:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 1.2 to 3.0mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 10 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | -50V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-346 (SC-59) | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Dimensiones | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +125 °C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Ancho | 1.5mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 1.2 to 3.0mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 10 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador -50V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOT-346 (SC-59) | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Dimensiones 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +125 °C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Ancho 1.5mm | ||
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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