Toshiba JFET, 2SK209-Y(TE85L,F), Tipo N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 1.2 to 3 mA, SOT-346, 3 pines

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Código RS:
760-3126
Nº ref. fabric.:
2SK209-Y(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo Sub

JFET

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

JFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

10V

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-346

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Corriente de fuente de drenaje Ids

1.2 to 3 mA

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1kΩ

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.9mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA


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Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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