Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, Mejora, USM de 3 pines

Código RS:: 760-3114
Nº ref. fabric.:: 2SK1829(TE85L,F)
Fabricante:: Toshiba

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, Mejora, USM de 3 pines

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Código RS:: 760-3114
Nº ref. fabric.:: 2SK1829(TE85L,F)
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	50mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	USM
	Serie	2SK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	40Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	100mW
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±10 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.9mm
	Longitud	2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.25 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 50mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado USM
	Serie 2SK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 100mW
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±10 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.9mm
	Longitud 2mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.25 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, Mejora, USM de 3 pines

MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba

Transistores MOSFET, Toshiba

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