MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 40 V, ID 92 A, Mejora, SOP de 8 pines
- Código RS:
- 171-2201
- Nº ref. fabric.:
- TPH3R704PL
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 171-2201
- Nº ref. fabric.:
- TPH3R704PL
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 92A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 92A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
Convertidores dc-dc de alta eficiencia
Reguladores de tensión de conmutación
Controladores para motor
Conmutación de alta velocidad
Carga de puerta pequeña: QSW = 8,1 nC (típ.)
Carga de salida pequeña: Qoss = 20,2 nC (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 3,0 mΩ (típ) (VGS = 10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 40 V)
Modo de mejora: Vth = 1,4 a 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)
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