MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, SOP de 8 pines

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Código RS:
206-9789
Nº ref. fabric.:
TPH1R306PL,L1Q(M
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TPH1R306PL

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

91nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6mm

Altura

0.9mm

Anchura

5 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad. Se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta eficiencia, reguladores de tensión de conmutación y controladores de motor.

¿Baja resistencia de conexión de fuente-drenador de 1,0 m?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 175 °C.

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