MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M, VDSS 75 V, ID 168 A, SOP de 8 pines
- Código RS:
- 236-3629
- Nº ref. fabric.:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Fabricante:
- Toshiba
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|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 236-3629
- Nº ref. fabric.:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 168A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | SOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.6mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 72nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 168A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado SOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.6mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Toshiba consta de material de silicio y tiene un tipo MOS de canal N. Se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta eficiencia y aplicaciones de reguladores de tensión de conmutación.
Conmutación de alta velocidad
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