MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M, VDSS 75 V, ID 168 A, SOP de 8 pines

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Código RS:
236-3629
Nº ref. fabric.:
TPH2R608NH,L1Q(M
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

168A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.6mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.95mm

Anchura

5 mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Toshiba consta de material de silicio y tiene un tipo MOS de canal N. Se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta eficiencia y aplicaciones de reguladores de tensión de conmutación.

Conmutación de alta velocidad

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