MOSFET Toshiba TPH8R80ANH, VDSS 100 V, ID 59 A, SOP avanzado de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 796-5156
- Nº ref. fabric.:
- TPH8R80ANH
- Fabricante:
- Toshiba
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,25 € | 6,25 € |
| 50 - 95 | 0,974 € | 4,87 € |
| 100 - 245 | 0,938 € | 4,69 € |
| 250 - 495 | 0,914 € | 4,57 € |
| 500 + | 0,89 € | 4,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 796-5156
- Nº ref. fabric.:
- TPH8R80ANH
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 59 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOP avanzado | |
| Serie | TPH | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8,8 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 61 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 5mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 33 nC a 10 V | |
| Longitud | 5mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Altura | 0.95mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 59 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V | ||
Tipo de Encapsulado SOP avanzado | ||
Serie TPH | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 8,8 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Disipación de Potencia Máxima 61 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 5mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 33 nC a 10 V | ||
Longitud 5mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Altura 0.95mm | ||
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