Nº ref. fabric.

MOSFET Toshiba TK17A65W,S5X(M, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220SIS de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 168-7961
Nº ref. fabric.:: TK17A65W,S5X(M
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK17A65W,S5X(M, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220SIS de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 168-7961
Nº ref. fabric.:: TK17A65W,S5X(M
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
	Tipo de Encapsulado	TO-220SIS
	Serie	TK
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	200 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
	Disipación de Potencia Máxima	45 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
	Ancho	4.5mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Material del transistor	Si
	Longitud	10mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	45 nC a 10 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Altura	15mm

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V
	Tipo de Encapsulado TO-220SIS
	Serie TK
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 200 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 3.5V
	Disipación de Potencia Máxima 45 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
	Ancho 4.5mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Material del transistor Si
	Longitud 10mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 45 nC a 10 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Altura 15mm

COO (País de Origen):: MY

MOSFET Toshiba TK17A65W,S5X(M, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220SIS de 3 pines, config. Simple

Transistores MOSFET, Toshiba

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