Nº ref. fabric.

MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K333R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 171-2540
Nº ref. fabric.:: SSM3K333R
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K333R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, config. Simple

No disponible

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Código RS:: 171-2540
Nº ref. fabric.:: SSM3K333R
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)	30 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld)	6 A
	Encapsulado	SOT-23
	Modo de canal	Mejora
	Número de pines	3
	Configuración de transistor	Simple
	Altura	800 μm
	Longitud	2.9 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)	42 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd)	2 W
	Tipo de montaje	Superficie
	Anchura	1.8 mm

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 30 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld) 6 A
	Encapsulado SOT-23
	Modo de canal Mejora
	Número de pines 3
	Configuración de transistor Simple
	Altura 800 μm
	Longitud 2.9 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 42 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd) 2 W
	Tipo de montaje Superficie
	Anchura 1.8 mm

COO (País de Origen):: TH

4.5V drive

Low ON-resistance: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

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