MOSFET Toshiba SSM3K333R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 171-2540
- Nº ref. fabric.:
- SSM3K333R
- Fabricante:
- Toshiba
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 171-2540
- Nº ref. fabric.:
- SSM3K333R
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 6 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 42 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 2 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 3,4 nC a 4,5 V | |
| Ancho | 1.8mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 6 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 42 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1.3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 2 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V | ||
Longitud 2.9mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 3,4 nC a 4,5 V | ||
Ancho 1.8mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 0.8mm | ||
- COO (País de Origen):
- TH
Accionamiento de 4,5 V
Baja resistencia de conexión: RDS(ON) = 42 mΩ (máx) (a VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (máx) (a VGS = 10 V)
Baja resistencia de conexión: RDS(ON) = 42 mΩ (máx) (a VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (máx) (a VGS = 10 V)
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