MOSFET onsemi FDN361BN, VDSS 30 V, ID 1,4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
759-9150
Nº ref. fabric.:
FDN361BN
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

PowerTrench

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

160 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

460 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

1.4mm

Ancho

2.92mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,3 nC a 4,5 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.94mm

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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