MOSFET STMicroelectronics STT5N2VH5, VDSS 20 V, ID 5 A, SOT-23 de 6 pines, config. Simple
- Código RS:
- 165-6539
- Nº ref. fabric.:
- STT5N2VH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 165-6539
- Nº ref. fabric.:
- STT5N2VH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V | |
| Serie | STripFET V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 6 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 40 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.7V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,6 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -8 V, +8 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Ancho | 1.75mm | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6 nC a 4,5 V | |
| Altura | 1.3mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 5 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V | ||
Serie STripFET V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 6 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 40 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.7V | ||
Disipación de Potencia Máxima 1,6 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -8 V, +8 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Ancho 1.75mm | ||
Longitud 3.05mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 6 nC a 4,5 V | ||
Altura 1.3mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- MA
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi FDN361BN ID 1 SOT-23 de 3 pines config. Simple
- MOSFET Toshiba SSM3K333R ID 6 A , config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STN1NF10 ID 1 A config. Simple
- MOSFET Infineon IRLML5103GTRPBF ID 760 mA , config. Simple
- MOSFET onsemi 2N7002ET ID 260 mA , config. Simple
- MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2302CX RFG ID 2 SOT-23 de 3 pines config. Simple
- MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2310CX RFG ID 4 A config. Simple
- MOSFET Nexperia NX7002AK VDSS 60 V SOT-23 de 3 pines, config. Simple
