MOSFET STMicroelectronics STN1NF10, VDSS 100 V, ID 1 A, SOT-223 de 3 + Tab pines, config. Simple

Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Serie

STripFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

800 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

3.7mm

Longitud

6.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.6mm