MOSFET Infineon IPB180N10S402ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263 de 7 + Tab pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-263

Serie

IPB180N10S4-02

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

7 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

10.25mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

156 nC a 10 V

Longitud

10mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.4mm

Tensión de diodo directa

1.2V