MOSFET Infineon IPB80N06S2L11ATMA1, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Serie

OptiMOS

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

158 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

9.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

62 nC a 10 V

Longitud

10mm

Altura

4.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C