MOSFET Infineon IPB80N06S2L06ATMA1, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 857-4512
- Nº ref. fabric.:
- IPB80N06S2L06ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)
0,923 €
(exc. IVA)
1,117 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 1000 - 1000 | 0,923 € | 923,00 € |
| 2000 - 4000 | 0,885 € | 885,00 € |
| 5000 + | 0,862 € | 862,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 857-4512
- Nº ref. fabric.:
- IPB80N06S2L06ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No aplica
Datos del Producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | OptiMOS |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8,4 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 250 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 9.25mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 114 nC a 10 V |
| Longitud | 10mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 4.4mm |
- Código RS:
- 857-4512
- Nº ref. fabric.:
- IPB80N06S2L06ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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