MOSFET Infineon IPB80N06S2L06ATMA1, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Serie

OptiMOS™

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

114 nC a 10 V

Ancho

9.25mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.4mm