MOSFET Infineon IPB80N06S208ATMA1, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
857-4515
Nº ref. fabric.:
IPB80N06S208ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Serie

OptiMOS™

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 10 V

Ancho

9.25mm

Longitud

10mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.4mm

Estado RoHS: No aplica

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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