MOSFET Infineon IPB80N04S403ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 857-4509
Nº ref. fabric.:: IPB80N04S403ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB80N04S403ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

999999999 Entrega en 24 horas

999999999 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

0,738 €

(exc. IVA)

0,893 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 - 1000	0,738 €	738,00 €
2000 - 4000	0,72 €	720,00 €
5000 +	0,702 €	702,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-4509
Nº ref. fabric.:: IPB80N04S403ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon

La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS T2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	94 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	51 nC a 10 V
Ancho	9.25mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.4mm