MOSFET Infineon IPB80N04S403ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 857-4509
Nº ref. fabric.:: IPB80N04S403ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB80N04S403ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

738,00 €

(exc. IVA)

893,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
1000 - 1000	0,738 €	738,00 €
2000 - 4000	0,72 €	720,00 €
5000 +	0,702 €	702,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-4509
Nº ref. fabric.:: IPB80N04S403ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
	Serie	OptiMOS T2
	Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,7 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	4V
	Tensión de umbral de puerta mínima	2V
	Disipación de Potencia Máxima	94 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Ancho	9.25mm
	Longitud	10mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Número de Elementos por Chip	1
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	51 nC a 10 V
	Material del transistor	Si
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	4.4mm

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 80 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V
	Serie OptiMOS T2
	Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263)
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 3,7 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 4V
	Tensión de umbral de puerta mínima 2V
	Disipación de Potencia Máxima 94 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Ancho 9.25mm
	Longitud 10mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Número de Elementos por Chip 1
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 51 nC a 10 V
	Material del transistor Si
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 4.4mm

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon

La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

MOSFET Infineon IPB80N04S403ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon

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