MOSFET Infineon IRF9540NSPBF, VDSS 100 V, ID 23 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
650-4198
Nº ref. fabric.:
IRF9540NSPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

23 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

117 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

3,8 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

97 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

9.65mm

Altura

4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon


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Transistores MOSFET, Infineon


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