MOSFET Infineon IPB60R099CPAATMA1, VDSS 600 V, ID 31 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Documentación Técnica (2)

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Precio Unidad

3,26 €

(exc. IVA)

3,94 €

(inc.IVA)

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	31 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	105 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	20V
Tensión de umbral de puerta mínima	20V
Disipación de Potencia Máxima	255 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	9.45mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	60 nC a 10 V
Longitud	10.31mm
Altura	4.57mm
Serie	CoolMOS CP
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C