MOSFET Infineon IPB60R099CPAATMA1, VDSS 600 V, ID 31 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
753-3002
Nº ref. fabric.:
IPB60R099CPAATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

31 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

105 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

20V

Tensión de umbral de puerta mínima

20V

Disipación de Potencia Máxima

255 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.31mm

Ancho

9.45mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Altura

4.57mm

Serie

CoolMOS CP

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP



Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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