MOSFET Infineon SPB11N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 752-8473
Nº ref. fabric.:: SPB11N60C3ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon SPB11N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Precio Unidad

2,89 €

(exc. IVA)

3,50 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	2,89 €
10 +	2,45 €

Código RS:: 752-8473
Nº ref. fabric.:: SPB11N60C3ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	CoolMOS C3
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	380 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	9.45mm
Longitud	10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	45 nC a 10 V
Altura	4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C