MOSFET Infineon IPB180P04P403ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

Código RS:: 857-8674
Nº ref. fabric.:: IPB180P04P403ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB180P04P403ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

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2000 - 4000	1,566 €	1.566,00 €
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*precio indicativo

Código RS:: 857-8674
Nº ref. fabric.:: IPB180P04P403ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
	Serie	OptiMOS P
	Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	7
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,8 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	4V
	Tensión de umbral de puerta mínima	2V
	Disipación de Potencia Máxima	150 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	190 nC a 10 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Longitud	10mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Ancho	9.25mm
	Material del transistor	Si
	Altura	4.4mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 180 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V
	Serie OptiMOS P
	Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263)
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 7
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 2,8 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 4V
	Tensión de umbral de puerta mínima 2V
	Disipación de Potencia Máxima 150 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 190 nC a 10 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Longitud 10mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Ancho 9.25mm
	Material del transistor Si
	Altura 4.4mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

MOSFET Infineon IPB180P04P403ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

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