MOSFET Infineon IPB60R165CPATMA1, VDSS 650 V, ID 21 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
825-9178P
Nº ref. fabric.:
IPB60R165CPATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

21 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

192 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Ancho

9.45mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

39 nC a 10 V

Longitud

10.31mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Serie

CoolMOS CP

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.572mm

Estado RoHS: No aplica

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