MOSFET onsemi FQB19N20LTM, VDSS 200 V, ID 21 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
166-1750
Nº ref. fabric.:
FQB19N20LTM
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

21 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

200 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Serie

QFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

140 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3,13 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

27 nC a 5 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.67mm

Ancho

9.65mm

Altura

4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
MY

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