MOSFET onsemi FQB47P06TM-AM002, VDSS 60 V, ID 47 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 124-1716
- Nº ref. fabric.:
- FQB47P06TM-AM002
- Fabricante:
- onsemi
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 124-1716
- Nº ref. fabric.:
- FQB47P06TM-AM002
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | P | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 47 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 26 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 3,75 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V, +25 V | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 84 nC a 10 V | |
| Ancho | 9.65mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Material del transistor | Si | |
| Altura | 4.83mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 47 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 26 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 3,75 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V, +25 V | ||
Longitud 10.67mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 84 nC a 10 V | ||
Ancho 9.65mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Material del transistor Si | ||
Altura 4.83mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
Aplicaciones:
• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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