MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQB47P06TM-AM002, VDSS 60 V, ID 47 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 671-0905
Nº ref. fabric.:: FQB47P06TM-AM002
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQB47P06TM-AM002, VDSS 60 V, ID 47 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 671-0905
Nº ref. fabric.:: FQB47P06TM-AM002
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	47A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	QFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	26mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	3.75W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	25 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	84nC
	Tensión directa Vf	-4V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.67mm
	Anchura	9.65 mm
	Altura	4.83mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 47A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie QFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 3.75W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 84nC
	Tensión directa Vf -4V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.67mm
	Anchura 9.65 mm
	Altura 4.83mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión

• Diseño de celdas de alta densidad

• corriente de saturación alta

• conmutación superior

• Gran rendimiento robusto y fiable

• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga

• Convertidor CC/CC

• Protección de la batería

• Control de administración de energía

• Control del motor de CC

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.