MOSFET Infineon IPB70P04P409ATMA1, VDSS 40 V, ID 72 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 857-4499
Nº ref. fabric.:: IPB70P04P409ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB70P04P409ATMA1, VDSS 40 V, ID 72 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

0,782 €

(exc. IVA)

0,946 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 - 1000	0,782 €	782,00 €
2000 - 4000	0,762 €	762,00 €
5000 +	0,743 €	743,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 857-4499
Nº ref. fabric.:: IPB70P04P409ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS P
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	75 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	54 nC a 10 V
Longitud	10mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	9.25mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	4.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 857-4499
Nº ref. fabric.:: IPB70P04P409ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB70P04P409ATMA1, VDSS 40 V, ID 72 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

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