MOSFET Infineon IPB70P04P409ATMA1, VDSS 40 V, ID 72 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

72 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Serie

OptiMOS P

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

75 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

54 nC a 10 V

Ancho

9.25mm

Material del transistor

Si

Altura

4.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C