MOSFET Infineon IPB100N10S305ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
823-5649
Nº ref. fabric.:
IPB100N10S305ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

OptiMOS 3

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

9.25mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

135 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.4mm

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior



Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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