MOSFET Infineon IPB45P03P4L11ATMA1, VDSS 30 V, ID 45 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 857-8696
Nº ref. fabric.:: IPB45P03P4L11ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB45P03P4L11ATMA1, VDSS 30 V, ID 45 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

738,00 €

(exc. IVA)

893,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
1000 - 1000	0,738 €	738,00 €
2000 - 4000	0,72 €	720,00 €
5000 +	0,702 €	702,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-8696
Nº ref. fabric.:: IPB45P03P4L11ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	45 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
	Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
	Serie	OptiMOS P
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	18,7 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2V
	Tensión de umbral de puerta mínima	1V
	Disipación de Potencia Máxima	58 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +5 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Material del transistor	Si
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Longitud	10mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	42 nC a 10 V
	Ancho	9.25mm
	Altura	4.4mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 45 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V
	Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263)
	Serie OptiMOS P
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 18,7 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2V
	Tensión de umbral de puerta mínima 1V
	Disipación de Potencia Máxima 58 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -16 V, +5 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Material del transistor Si
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Longitud 10mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 42 nC a 10 V
	Ancho 9.25mm
	Altura 4.4mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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