MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, ID 180 A, Mejora, TO-263

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Código RS:
260-5121
Nº ref. fabric.:
IPB180N10S402ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de potencia optiMOS de canal N de Infineon proporcionan una excelente carga de puerta. Tiene la capacidad de corriente más alta. Este transistor MOSFET de canal N funciona en modo de mejora.

Modo de mejora de canal N

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

100 % probado en avalancha

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